ドライエッチャー LED・パワーデバイス活用例
LED
- GaNの低ダメージ・高速加工でLED電極形成/素子分離工程の高生産性に貢献
- PSS(Patterned Sapphire Substrate)加工でLED素子の高輝度化に貢献
- φ2, 4, 6インチウエハの複数枚一括処理に対応
パワーデバイス(Si, SiC, GaN)
- 次世代パワーデバイスの各ニーズに合わせた高精細加工を実現
Siパワーデバイス | SiCパワーデバイス | GaNパワーデバイス | 他工程(金属、誘電膜) |
---|---|---|---|
|
|
|
|
ドライエッチャー 通信系デバイス&MEMS・センサー活用例
SAWデバイス/ 通信系デバイス
- IDT(櫛形電極)・各種金属の高精細加工を実現
- 厚い酸化膜・LT/LN加工の複数枚一括処理により高生産性を実現
- 化合物基板の高速・深掘り加工(GaAsビア・SiCビア・Siビア)
- GaAsスクライブ・ダイシング加工
MEMS / センサー
- ジャイロ・圧力センサー、プリンタヘッドなどに利用される誘電膜・金属・Siの加工
Etching of Various materials (Piezo, Non-volatile, Si) such as the gyro, pressure sensors and printer head
Au・Pt電極加工 | 圧電材料加工 | 各種金属加工 | Si加工 |
---|---|---|---|
|
|
|
|